Transistor Transistor BiCMOS (contraction de Bipolar-CMOS) est le nom d'une technologie de circuit intégré alliant les avantages du CMOS et du bipolaire, c'est-à-dire une forte densité d'intégration et une grande vitesse de traitement. ...Wikipedia "BiCMOS"
Le MOSFET, acronyme anglais de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, en français Transistor à Effet de Champ (à grille) Métal-Oxyde, est un type transistor à effet de champ. ...Wikipedia "MOSFET"
Le transistor est le composant électronique actif fondamental en électronique utilisé principalement comme interrupteur commandé et pour l'amplification, mais aussi pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres utilisations. ...Wikipedia "Transistor"
Lorsque le transistor travaille dans cette zone, il peut être considéré comme un amplificateur de courant : le courant de sortie, Ic est proportionnel au courant d'entrée, Ib. Le rapport Ic/Ib, appelé gain en courant du transistor, est une des caractéristiques fondamentales de celui-ci ; il est généralement noté par la lettre grecque β. Le β du transistor illustré vaut 100. Il est important de tenir compte du fait que, pour un transistor donné, β augmente avec la température. Par ailleurs, les β de transistors de même type présentent une grande dispersion. Cela oblige les constructeurs à indiquer des classes de gain. Si l'on prend par exemple un transistor très répandu comme le BC107, le gain en courant varie de 110 à 460. Le constructeur teste alors les transistors après fabrication et ajoute une lettre après le numéro, pour indiquer la classe de gain A, B, C... ...Wikipedia "Transistor bipolaire"
L'IGBT, de l'anglais Insulated Gate Bipolar Transistor, en français Transistor bipolaire à grille isolée, est un interrupteur électronique utilisé dans les dispositifs de forte puissance de l' électronique de puissance. ...Wikipedia "Transistor bipolaire à grille isolée"
où Idss (Id de court-circuit, short circuit en anglais) est le courant de saturation, obtenu quand Vgs est nul, et Vp (tension de pincement, pinch off) est la tension Vgs qui annule Id. Pour le transistor illustré, Idss = 10mA et Vp = -4V. ...Wikipedia "Transistor JFET"
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